增加逆變器轉換效率 IGBT升級650V阻斷電壓

2012 年 08 月 09 日
市場對太陽能發電系統轉換效率要求不斷提高,促使太陽能逆變器開發商尋求具備更高崩潰電壓的元件;而耐壓達650伏特的IGBT,由於可配合太陽能面板匯流排的電壓峰值,且擁有較大的設計餘裕(Margin),因此成為業者傾向採用的元件。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

防範產品遭仿冒 FPGA設計安全性至關重大

2009 年 08 月 27 日

平台商全力布「雲」 智慧手機戰「端」再啟

2011 年 07 月 01 日

善用CMOS特性 3T SRAM技術難題有解

2012 年 05 月 24 日

有效降低開關耗損保護裝置 GaN元件直接驅動更可靠

2017 年 07 月 17 日

量測/鑑定五時機精準判定 善用表面分析尋找製程缺陷

2021 年 09 月 04 日

液冷創新引領AI運算革命 兼顧環保與效能成關鍵

2025 年 07 月 31 日
前一篇
建築能源管理系統上雲端 Smart City加速成形
下一篇
康橋半導體創辦人獲英國皇家工程院銀質獎章